Darlingtonovy tranzistory
Darlingtonovy tranzistory jsou bipolární polovodičové součástky složené ze dvou sériově propojených tranzistorů v jednom pouzdře. Toto zapojení umožňuje dosažení velmi vysokého proudového zesílení(typicky v řádu tisíců), což výrazně snižuje požadavky na řídicí proud do báze. Díky těmto vlastnostem se Darlingtonovy tranzistory používají pro spínání výkonových zátěží, řízení motorů, ovládání relé nebo napájecích větví. Jsou dostupné ve variantách NPN i PNP, v pouzdrech pro nízko- i vysokoproudové aplikace. Jejich výhodou je jednoduchá implementace a schopnost řídit velké proudy s minimálnímvstupním signálem.
Číst dále...Typy Darlingtonových tranzistorů
- Darlingtonovy tranzistory NPN. Nejčastěji používané pro spínání zátěží s kladným napájením. Díky vysokému zesílení jsou vhodné pro řízení z logických obvodů a mikrořadičů.
- Darlingtonovy tranzistory PNP. Umožňují řízení zátěží při záporném řídicím signálu nebo v symetrických obvodech. Pracují v opačné polaritě než NPN typy.
Použití Darlingtonových tranzistorů
- Spínání zátěží. Ideální pro řízení relé, motorů nebo jiných výkonných zařízení z logiky nebo řídicích obvodů.
- PWM řízení a regulace. Použití v napěťových a výkonových regulátorech s nižší frekvencí spínání.
- Výstupní stupně řídicích obvodů. Vhodné pro spínání aktuátorů, světelných nebo akustických indikátorů.
- Lineární regulátory a ochranné obvody. Fungují jako výstupní členy stabilizátorů, proudových ochran nebo napěťových spínačů.
Jak vybrat Darlingtonův tranzistor
- Maximální proud (IC). Zvolte podle předpokládané zátěže – výkonové typy zvládnou až desítky ampér.
- Zesílení (hFE). Typicky přes 1000, vhodné pro spínání i s velmi malým proudem báze.
- Saturační napětí (VCEsat). Vyšší než u běžných tranzistorů – nutno zohlednit v aplikacích s nízkým napájením.
- Ztrátový výkon (Ptot). Vyžaduje dimenzované chlazení – doporučená pouzdra s možností montáže na chladič.
- Rychlostspínání. Nevhodné pro vysokofrekvenční spínání – pro rychlé PWM použijte MOSFET nebo IGBT.
- Typ pouzdra. K dispozici jako THT (např. TO-220, TO-247) i výkonová SMD řešení.
2N3055 N 100V/15A 115W 2MHz TO3 /China/
439 ks
2N3055 N 100V/15A 115W 2MHz TO3 /ON semi/
21 ks
2SA1943 P 230V/15A 40W 30MHz TO247, CDIL
120 ks
2SA1943-O P 230V/15A 150W 30MHz 2-21F1A (TO3P)
32 ks
2SC5200 N 230V/15A 150W SOT93 (do páru je 2SA1943)
5 ks
2SC5388 N 1500/700V/5A 50W darl+dioda =BU808DFX
1 ks
BC327-16 P 45V/0,8A 625mW 100MHz (ß=100-250) TO92
496 ks
BD242C(TIP32C) P 100V/3A 40W TO220 =2SB834
12 ks
BU205 N výkon.spínací 700V/2,5A 36W TO3 ST
4 ks
BU208D N výkon.spínací 700V/8A/150W TO3 =2SD951
29 ks
BUT12AF N 400V/8A 125W TO220ISO / náhrada MJF18008
24 ks
FGA60N65SMD IGBT tranzistor 650V 60A, TO-3PN
117 ks
KD271 P darl. 100V/2A 15W TO126 /MJE271/
2140 ks
CZK - Česká republika
EUR - Slovensko