Filtrovat
Hledat v aktuální kategorii
Filtr dle ceny (s DPH)
Zobrazit

IGBT tranzistory

IGBT tranzistory (Insulated Gate Bipolar Transistors) jsou výkonové polovodičové prvky, které kombinují výhody bipolárních tranzistorů (vysoká proudová kapacita) a unipolárních tranzistorů (snadnéřízení). Jsou ovládány napětím na řídicí elektrodě (gate) a umožňují efektivní spínání vysokého napětí a proudu. IGBT tranzistory se široce využívají v průmyslových měničích pro řízení elektromotorů,frekvenčních regulacích, svařovacích zařízeních, výkonných napájecích zdrojích a systémech UPS. Vyznačují se vysokou účinností, robustním chováním a spolehlivostí při spínání velkých výkonových zátěží. Patří k základním prvkům moderní silové elektroniky.

Číst dále...

Typy IGBT tranzistorů

  • Standardní IGBT tranzistory. Univerzální provedení pro většinu výkonových aplikací, s vyváženými parametry napětí, proudu aspínací rychlosti.
  • Rychlé IGBT tranzistory. Optimalizované pro vysokofrekvenční spínání, např. v měničích nebo pulzních zdrojích. Nabízejí kratší dobu sepnutí a vypnutí.
  • IGBT s integrovanou ochranou. Obsahují vestavěné ochranné prvky (např. diodu nebo teplotní čidlo) pro bezpečnější provoz v náročných podmínkách.
  • Modulové IGBTprvky. Výkonové moduly určené pro průmyslové měniče, svařovací zařízení nebo řízení motorů. Obsahují více tranzistorů a příslušných diod v jednom pouzdře.

Použití IGBT tranzistorů

  • Frekvenční měniče a řízení motorů. IGBT tranzistory tvoří výkonovou část invertorů v řízení AC motorů, kde přepínají napájecí proud s minimálními ztrátami.
  • Svařovací technika a UPS systémy. Díky vysoké proudové odolnosti a robustnosti jsou vhodné pro zařízení s dynamickou zátěží a vysokým zatěžovacím cyklem.
  • Průmyslové zdroje a měniče. Slouží jako výkonové spínače v DC/AC nebo DC/DC převodnících s vysokým napětím a proudem.
  • Solární a bateriové systémy. Používají se v invertorech a výkonných regulátorech energie, kde je potřeba přesné a efektivní řízení výkonu.
  • Elektromobilita a nabíjecí infrastruktura. IGBT tranzistory zajišťují spínání a řízení výstupu v rychlonabíječkách, pohonech a DC rozvodech.

Jak vybrat IGBT tranzistor

  • Maximální napětí (Vces). Udávánejvyšší napětí mezi kolektorem a emitorem – IGBT tranzistor je nutné volit s rezervou vůči špičkám na sběrnici.
  • Kolektorový proud (Ic). Určuje trvalou proudovou zátěž. Modulové a výkonové IGBT tranzistory zvládnou desítky až stovky ampér.
  • Příkonová ztráta a účinnost. Důležitá zejména při častém spínání – sledujte kombinaci úbytku napětí a spínacích ztrát.
  • Spínací rychlost (td(on), td(off)). Ovlivňuje použití v pulzních a frekvenčních obvodech. IGBT tranzistor s kratšími časy je vhodnější pro rychlé měniče.
  • Vstupní kapacita (Cies). Má vliv na ovládání tranzistoru – čím nižší kapacita, tím snadnější řízení z budiče.
  • Integrované ochrany a pouzdro. Pro bezpečný provoz doporučujeme IGBT tranzistory s integrovanou diodou nebo termální ochranou. Výběr pouzdra závisí na způsobu montáže a chlazení (TO-247, moduly, SMD).
Zavřít

V této kategorii momentálně nenabízíme žádné zboží.