Tranzistory

Typy tranzistorů

• Bipolární tranzistory (BJT). Klasické spínací a zesilovací prvky s přechody typu NPN nebo PNP. Vyznačují se řízením proudu a využívají se v analogových i digitálních aplikacích.
• Darlingtonovytranzistory. Dvojice bipolárních tranzistorů v jednom pouzdře s vysokým proudovým zesílením. Ideální pro spínání větších zátěží při nízkém vstupním proudu.
• IGBT tranzistory (Insulated Gate Bipolar Transistors). Kombinují výhody bipolárního a unipolárního tranzistoru – vysoké napětí, velké proudy, snadnéřízení. Vhodné pro měniče, frekvenční regulátory a silovou elektroniku.
• Unipolární tranzistory (MOSFET, JFET). Řízeny napětím na řídicí elektrodě. MOSFET tranzistory jsou dominantní ve spínaných zdrojích, regulacích a rychlých logických obvodech.
• VF tranzistory (vysokofrekvenční). Optimalizované pro práci ve vysokofrekvenčních pásmech (VHF/UHF), v rádiové technice, zesilovačích a oscilátorech.

Použití tranzistorů

• Zesilovače signálů. Tranzistor v analogovém zapojení umožňuje zesilování napěťových nebo proudových signálů v audio, RF nebo měřicích obvodech.
• Spínání zátěží. V digitální logice i výkonové elektronice se tranzistor používá jako elektronický spínač pro ovládání LED, relé, motorů nebo napájecích větví.
• Regulace a řízení. Tranzistory umožňují řídit otáčky motorů, PWM regulaci napětí nebo napájení v DC/DC měničích.
• Frekvenční generátory a oscilátory. VF tranzistory se používají v laděných obvodech, modulátorech a RF generátorech.
• Logické a digitální systémy. Tranzistory tvoří základní prvek integrovaných obvodů – logických hradel,pamětí i mikroprocesorů.

Jak vybrat tranzistor

• Typ tranzistoru. Volí se podle aplikace – např. MOSFET pro rychlé spínání, IGBT provýkon, bipolární tranzistor pro analogové zesílení.
• Maximální napětí (VCE, VDS). Udává maximální napětí mezi kolektorem a emitorem (BJT), nebo mezi drainem a sourcem (MOSFET). Musí být vyšší než provozní.
• Maximální proud (IC, ID). Tranzistor musí zvládnout zatížení připojené na výstupu – zohledňuje se špičkový i střední proud.
• Ztrátový výkon (Ptot). Určuje tepelné zatížení součástky – vyšší výkonové tranzistory často vyžadují chlazení.
• Zesilovací činitel (hFE, gain). U bipolárních tranzistorů důležitý parametr pro zesilovací aplikace. U MOSFET se nahrazuje parametry RDS(on) nebo Qg.
• Rychlost přepínání. Pro vysokofrekvenční nebo digitální použití je důležitýčas sepnutí a vypnutí – čím kratší, tím vyšší efektivita.
• Pouzdro a způsob montáže. Dostupné v THT i SMD verzích, pro různé způsoby chlazení a integrace do DPS.